日本田村制作所试制出了使用氧化镓（Ga2O3）的深紫外传感器，并在“CEATEC JAPAN 2014”（2014年10月7～11日，幕张Messe会展中心）上展出。此次为该传感器首次展示。据田村介绍，因带隙扩大至4.8eV，该产品可以检测出260nm的深紫外光。在使用半导体的深紫外传感器中，有的产品使用AlGaN类半导体。与这些产品相比，新传感器的特点是，无需在氧化镓基板上进行半导体的外延生长，只需形成电极等，即可使其作为深紫外传感器发挥功能。

田村制作所还在其展区展示了氧化镓基板。包括已实现产品化的2英寸产品和4英寸开发品。这些产品设想用于LED用途。据介绍，该公司目前还在面向功率元件用途，开发6英寸产品，并已试制出6英寸氧化镓块状晶体。（来源：日经BP社）