松下在“SEMICON Japan 2015”（12月16～18日）上，参考展出了以低成本为卖点的高速等离子体退火装置。据该公司推算，平均每片晶圆的设备折旧费可降至现有等离子体退火装置及激光退火装置的约1/12，、红外线退火装置的约1/4。目标是今后2～3年内推出商品。

该装置除成本低外，还有两大特点。一是可实现长尺寸的退火处理。目标是可通过一次扫描完成300mm晶圆的处理。松下表示，“激光退火等出现接缝的情况并不少见”。

另一特点是被处理物不依存于光学特性。IR灯通火装置、闪光灯退光装置及激光退火装置均使用光能来加热，因此基板（晶圆）上附带的薄膜的颜色会使光的吸收发生变化，导致温度发生变化。而等离子体退火只喷射等离子体气体，因此不存在对颜色的依存性。现有退火装置方面，晶圆上光反射强的带金属膜的部分与不带金属膜的部分之间，容易产生温度偏差。为了避免这种情况，有不少用户都在通过改进设计等方法进行应对。而此次展出的等离子体退火装置能够无温度偏差地均匀加热。

目前，在硅半导体用退火装置领域，闪火灯退火装置和激光退火装置的份额较高。松下打算用此次展出的等离子体退火装置取代这些装置，主要瞄准的用途是离子注入后的活性化。（来源：日经BP社）