武汉理工大学的唐新峰、宋波和熊聪等，于2004年6月在中国专利局申请了该专利，并于2005年3月公开发表。

　　一种纳米晶热电半导体材料的非晶晶化制备方法，首先采用高频加热方式在1100℃得到均匀的合金熔体，然后采用液相急冷法以105～106℃/sec的冷却速度将熔体冷却得到薄带状或细丝状非晶样品，将非晶样品碾碎后放入模具中，置于放电等离子体快速重结晶和致密化烧结设备中，重结晶和致密化温度为600℃、压力为30MPa、时间7-8min。得到纯度高、平均晶粒尺寸为70-80nm、晶粒大小均匀、性能优异的块体纳米晶热电半导体材料。本发明提供了一种适用于大规模制备块体纳米晶热电半导体材料的技术。

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